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Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
1
150 C
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
o
10
10
25 C
0
0
o
-55 C
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
o
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2.5
2.0
V GS = 10V
1.5
V GS = 20V
1.0
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
1
0
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
25
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation
vs. Drain Current and
Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
1500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 40V
V DS = 100V
1000
500
C iss
C oss
8
6
4
V DS = 160V
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 9.0 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
4
8
12
16
20
24
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFW630B Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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